Домой / iPhone / Вениамин Геcкин опубликовал рендеры новых iPhone 2019 года

Вениамин Геcкин опубликовал рендеры новых iPhone 2019 года

Блоггер Вениамин Гескин опубликовал в Twitter первый рендер новых iPhone 2019 года. За основу он взял недавно появившиеся новости о том, что наследник XS Max получит тройную камеру, а преемник XR — двойную.

Рендеры будущих iPhone Гескин опубликовал в своем микроблоге в Twitter. На снимках представлены следующие поколения XS, XS Max и XR. При создании изображений блогер опирался на недавно появившуюся информацию о том, что XS Max, релиз которого состоится осенью 2019 года, получит тройную основную камеру, которая будет оформлена в квадратном стиле, а XR второго поколения — двойную, внешне аналогичную той, которая устанавливается на XS и XS Max сейчас.

По мнению блоггера, в 2019 году Apple скорее всего не будет сильно изменять принцип работы камеры iPhone и ее технические характеристики. Гескин уверен, что количество нововведений, помимо увеличенного числа объективов, будет небольшим: наиболее вероятным из них он считает появление опции двукратного зума на XR второго поколения и трехкратного — на будущем XS Max.

Пользователи социальных сетей уже успели высмеять новый дизайн iPhone 2019 года. Так, некоторые остроумные блогеры опубликовали рендер iPhone 17.

Про Редактор Новостей

Проверьте также

Apple готова создавать 5-нанометровые процессоры для iPhone 2020

Производитель чипов Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) завершил работу над технологией, которая позволит Apple создавать 5-нанометровые процессоры для iPhone 2020. Итак, как сообщает издание Digitimes, тайваньская компания анонсировала запуск инфраструктуры для работы над 5-нм чипами. Ожидается, что новый процесс обеспечит значительное повышение скорости и эффективности процессоров. «5-нанометровая технология TSMC обеспечит нашим клиентам самый продвинутый в Далее

Сообщение Apple готова создавать 5-нанометровые процессоры для iPhone 2020 появились сначала на Статус - Apple.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *