Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Аспирант Института полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) представил исследование сверхтонких пленок...
Домой / Новости / Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Tags News
Про Редактор Новостей
Проверьте также
REL выпустила новые сабвуферы серии Reference
Британская компания REL объявила о выходе двух новых моделей в своей флагманской серии Reference – No.35 и No.36. Обе новинки...