Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Аспирант Института полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) представил исследование сверхтонких пленок...
Домой / Новости / Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Tags News
Про Редактор Новостей
Проверьте также
Вещь дня: кубик, который превращает проводной CarPlay в беспроводной
Широко известный в узких кругах производитель аксессуаров Twelve South представил беспроводной адаптер airfly drive: он создаёт Wi-Fi сеть для сопряжения вашего iPhone с автомобилем и полностью устраняет необходимость в использовании USB-кабеля. Для подключения смартфона к машине не требуются ни установка стороннего приложения, ни, прости господи, регистрация учётной записи: достаточно просто воткнуть девайс в USB-разъём машины […]