Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Аспирант Института полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) представил исследование сверхтонких пленок...
Домой / Новости / Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния
Tags News
Про Редактор Новостей
Проверьте также
В сети появились первые изображения нового iPad mini, HomePod mini 2 и приставки Apple TV
Грядущий iPad mini переедет с A17 Pro сразу на 2-нм чип A20 Pro из последней линейки iPhone, — характеристики нового устройства якобы обнаружила редакция портала MacRumors в коде одного из эппловских приложений. Какого именно — не сообщается. Помимо мощного чипа, планшет должен получить OLED-дисплей с тонкими рамками, а также обновлённые стереодинамики. Фронтальная камера при этом […]